تئوری وفن آوری ساخت ادوات نیمه هادی(ویرایش دوم)

درفصل نخست، پس از ارائه کلیات و مقدمات در رابطه با ساختار منظم تک کریستال‌های نیمه هادی، مخصوصاً از جنس سیلیسیم، چگونگی رشد تک کریستال آنها را با هدف تولید ویفرهای نیمه هادی بررسی می‌شود. فصول دوم تا چهارم به طور مشروح فرآیندهای اکسیدسازی، نیتریدسازی، نفوذ حرارتی و کاشت یونی آلاینده‌ها درون سیلیسیم را توضیح می‌دهد. روش‌های مختلف لیتوگرافی در تهیه الگوهای مناسب و چگونگی چینش ادوات ریز الکترونیک روی مدار یکپارچه در فصل پنجم بررسی می‌شود. انواع روش‌های لایه نشانی و شستشوی شیمیایی موضوع بحث فصل ششم است. فصول هفتم و هشتم کتاب را به بحث اثرات پارازیتی و ناخواسته در ادوات مجتمع اعم از غیرفعال و فعال چن. ان در فصل نهم کتاب، با توجه به نیاز روزافزون به ساخت ترانزیستورهای پر سرعت تا مرز چند صد گیگاهرتز و حتی بالاتر، راههای افزایش سرعت مدارهای مجتمع بررسی می‌شود. از جمله مدارهای مجتمع ساخته شده با ترکیبی از ترانزیستورهای تک قطبی و دو قطبی، و همچنین کاربرد پدیده ابررسانایی در ساخت مدارهای مجتمع در درجات حرارت پائین. فصل دهم به چگونگی ساخت و فیزیک ادوات نیمه هادی ترکیبی اختصاص داده شده است. فصول یازدهم و دوازدهم، فیزیک ادوات دو پایه‌ای دیودی و سه پایه ای ترانزیستوری با استفاده از اتصالات نامتجانس را بررسی می‌شود. این اتصالات از نیمه هادی‌های ترکیبی نظیر گالیم-ارسناید و سیلیسیم- ژرمانیم ساخته می‌شوند و از نظر سرعت کار هم در فرکانس‌های بالای چندین تراهرتز قادر به کار هستند. در فصل سیزدهم، فن‌آوری ساخت ترانزیستورهای نامتجانس بحث می‌شود. در فصل چهاردهم روشهای اندازهگیری در ساخت ادوات نیمه هادی معرفی می‌شود.